シンポジウム

開催日 時間 会場 大分類名
シンポジウム名
3/9(土) 13:30 ~ 18:35  M111 S6

3. 光・フォトニクス / 11. 超伝導

量子センシング ~ 究極の感度を求めて ~

13:30 ~ 17:55 W833 S7

6. 薄膜・表面

陽電子回折による表面科学の新展開と高速化データ駆動科学

 13:15 ~ 17:35 W933 S15

13. 半導体

多元化合物材料研究の動向・趨勢〜物性制御と応用展開〜

 13:30 ~ 18:00 W541 S18

15. 結晶工学

窒化物半導体特異構造の科学 ナノ物性評価技術の進展と物性制御

3/10(日) 09:30 ~ 12:15 W935 S1

1. 応用物理学一般

環境・エネルギーを意識した物理教育を考える

13:45 ~ 16:55 S011 S2

2. 放射線

計測標準から見る計測・測定技術

13:30 ~ 17:15 M135 S3

3. 光・フォトニクス

多様な光ファイバセンシング技術

13:30 ~ 18:15 M114 S4

3. 光・フォトニクス

光プロセスの基礎過程に迫る計測・モニタリング技術の進展

13:30 ~ 17:45 W933 S8

6. 薄膜・表面

新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)

13:30 ~ 16:25 M103 S10

8. プラズマエレクトロニクス / 6. 薄膜・表面

カーボン系材料プラズマプロセスの現状と課題

13:30 ~ 16:45 M101 S11

10. スピントロニクス・マグネティクス

IoT/IoH時代にむけたスピンデバイス

13:30 ~ 17:40 M111 S12

12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

コロイド量子ドットの現状と展望

13:30 ~ 18:00 W810
(E1001)
S13

12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

物質に内在する学習・最適化能力を活用するマテリアル知能科学

13:30 ~ 16:45 M121 S16

13. 半導体

IoTの発展を支える集積化システム

13:30 ~ 17:50 W922 S19

15. 結晶工学

イオン注入技術の進展 〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

13:30 ~ 17:15 W241 S22

合同K 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ~薄膜形成からデバイス創出に至るまで~

3/11(月 13:30 ~ 19:00 M135 S5

3. 光・フォトニクス

ナノ物質光マニピュレーションが拓く新奇現象・機能・技術

13:30 ~ 17:15 W241 S9

6. 薄膜・表面

計算機による物性予測と酸化物機能の開拓

13:30 ~ 17:45 M121 S14

12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

ナノバイオ分野での実験と計算の連携・融合:脂質膜と膜タンパク質

13:30 ~ 17:45 W934 S17

13. 半導体

先端イオン顕微鏡技術のナノスケール材料・デバイスへの展開 (※英語シンポジウム)

13:30 ~ 18:45 W933 S20

15. 結晶工学

結晶工学×放射光シンポジウム

09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 15:15 W242 S21

16. 非晶質・微結晶

エネルギーハーベスティングの新展開

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