シンポジウム

開催日	時間	会場		大分類名
				シンポジウム名
3/9(土)	13:30 ~ 18:35	M111	S6	3. 光・フォトニクス / 11. 超伝導 量子センシング　～　究極の感度を求めて　～
	13:30 ~ 17:55	W833	S7	6. 薄膜・表面 陽電子回折による表面科学の新展開と高速化データ駆動科学
	13:15 ~ 17:35	W933	S15	13. 半導体 多元化合物材料研究の動向・趨勢〜物性制御と応用展開〜
	13:30 ~ 18:00	W541	S18	15. 結晶工学 窒化物半導体特異構造の科学　ナノ物性評価技術の進展と物性制御
3/10(日)	09:30 ~ 12:15	W935	S1	1. 応用物理学一般 環境・エネルギーを意識した物理教育を考える
	13:45 ~ 16:55	S011	S2	2. 放射線 計測標準から見る計測・測定技術
	13:30 ~ 17:15	M135	S3	3. 光・フォトニクス 多様な光ファイバセンシング技術
	13:30 ~ 18:15	M114	S4	3. 光・フォトニクス 光プロセスの基礎過程に迫る計測・モニタリング技術の進展
	13:30 ~ 17:45	W933	S8	6. 薄膜・表面 新デバイス・材料開発のためのナノスケール2次元/3次元分析(II)
	13:30 ~ 16:25	M103	S10	8. プラズマエレクトロニクス / 6. 薄膜・表面 カーボン系材料プラズマプロセスの現状と課題
	13:30 ~ 16:45	M101	S11	10. スピントロニクス・マグネティクス IoT/IoH時代にむけたスピンデバイス
	13:30 ~ 17:40	M111	S12	12. 有機分子・バイオエレクトロニクス コロイド量子ドットの現状と展望
	13:30 ~ 18:00	W810 (E1001)	S13	12. 有機分子・バイオエレクトロニクス 物質に内在する学習・最適化能力を活用するマテリアル知能科学
	13:30 ~ 16:45	M121	S16	13. 半導体 IoTの発展を支える集積化システム
	13:30 ~ 17:50	W922	S19	15. 結晶工学 イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜
	13:30 ~ 17:15	W241	S22	合同K 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ～薄膜形成からデバイス創出に至るまで～
3/11(月	13:30 ~ 19:00	M135	S5	3. 光・フォトニクス ナノ物質光マニピュレーションが拓く新奇現象・機能・技術
	13:30 ~ 17:15	W241	S9	6. 薄膜・表面 計算機による物性予測と酸化物機能の開拓
	13:30 ~ 17:45	M121	S14	12. 有機分子・バイオエレクトロニクス ナノバイオ分野での実験と計算の連携・融合：脂質膜と膜タンパク質
	13:30 ~ 17:45	W934	S17	13. 半導体 先端イオン顕微鏡技術のナノスケール材料・デバイスへの展開 (※英語シンポジウム）
	13:30 ~ 18:45	W933	S20	15. 結晶工学 結晶工学×放射光シンポジウム
	09:00 ~ 12:15 13:45 ~ 15:15	W242	S21	16. 非晶質・微結晶 エネルギーハーベスティングの新展開