半導体セミナー

半導体デバイスの基礎①　～デバイスの機能を生み出す半導体の性質

【略歴】

1982年東京大学工学部・電子工学科卒、1987年東京大学大学院・工学系研究科・博士課程修了、工学博士を取得。同年株式会社東芝・総合研究所入所。1993年～1995年の間、スタンフォード大学訪問研究員。2001年～2008年の間、半導体MIRAIプロジェクト新構造トランジスタ及び計測解析技術グループリーダーを兼務。2003年より、東京大学・工学系研究科電子工学専攻・教授、現在に至る。応用物理学会フェロー。

デバイス動作の本質は、入力電圧のわずかな変化を大きな電流変化に変換することである。どうすればこのような機能を実現できるのか？これについて、半導体物性の基礎を学部のレベルに立ち戻って解説し、半導体の基本的性質をわかりやすく説明する。半導体の結晶中では、電子はその波動的性質が強く現れるが、これを古典的な粒子として近似する過程を通して、有効質量、移動度、電位障壁等の概念が導かれる。これらを用いてトランジスタ動作を理解するための準備を行う。またデバイスの基本構造であるPN接合や金属－半導体接合についても述べる。

【目次】

１． デバイスの概念とは
２． 結晶中の電子の振る舞い
３． 半導体中の電子とホール
４． PN接合
５． 金属と半導体の接合

　第1回～第3回半導体セミナー通し券　12,000円

　第1回半導体セミナー　3,000円　※初回特別価格

　第2回半導体セミナー　5,000円

　第3回半導体セミナー　5,000円

現地参加の場合　　　：第84回応用物理学会秋季学術講演会参加者に限ります。

オンライン参加の場合：どなたでも

第2回半導体セミナー・第3回半導体セミナー

現地参加の場合　　　：どなたでも

オンライン参加の場合：どなたでも

半導体デバイスの基礎②　～デバイスの動作原理と特性

日時：2023年11月17日（金）13：00-16：00

会場：応物会館（東京都文京区）+　オンライン

講師：高木 信一（東京大学）※講師が変更となりました

内容：

デバイスの機能は、電位障壁の高さを外部から加えた電圧信号で変化させることで生み出される。信号電圧を障壁部の半導体に直接電線を接続して供給し、その高さを変化させるのがバイポーラトランジスタ。これに対し直接ではなく、コンデンサーを介して間接的に供給して変化させるのがMOSトランジスタである。これらのデバイスの動作原理・特性について解説する。また半導体中にはホールと電子という、正・負反対符号の電荷をもったキャリヤが存在するが、これらが互いに空間電荷を打ち消し合うようにすることで大電流を流すことを可能にしたのがパワーデバイス。これについても、その基本的な考え方を解説する。

目次：

６．デバイス機能を生み出す基本構造

７．バイポーラトランジスタ

８．MOSトランジスタ
ー　MOSトランジスタの動作原理
ー　MOS構造の解析
ー　電流電圧特性

9.パワー半導体デバイスの考え方

第3回半導体セミナー

半導体デバイスの最新動向

日時：2023年12月22日（金）13：00-16：00

会場：応物会館（東京都文京区）+　オンライン

講師：平本 俊郎（東京大学）

内容：

高木信一先生の「半導体デバイスの基礎」につづいて，実際に大規模集積回路で用いられている先端ロジック半導体デバイスの技術動向と将来展望について概説する．

目次：

１．半導体をめぐる世界の状況
２．デバイス微細化のトレンド
３．半導体ロードマップ
４．3Dへ
５．Beyond CMOSについて
６．まとめ

半導体セミナーにお申込みいただいた方は、お申込みいただいた回のオンデマンド配信を追加料金なしでご視聴いただけます。配信期間は、各セミナーの2週間後頃より、2024年5月末までです。

質疑応答も録画・配信いたしますので、発言の際はご留意ください。

第１回半導体セミナーの参加申込締切以降も、オンデマンド配信のみのお申し込みを受け付けます。料金は上記と同じです。準備ができ次第HPにてお知らせします。